鑫南光公司小編為大家介紹關于成都光刻機的產品特點：

一、主要用途

本設備是我公司針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性專門研發(fā)的一種精密光刻機，它 主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產。

二、主要構成

主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。

三、主要功能特點 :

1.適用范圍廣:

適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.結構穩(wěn)定

具有半球式找平機構和可實現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構；具  有真空掩膜版架、真空片吸盤。

3.操作簡便

采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現(xiàn)真空 吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理 都非常簡便。

4.可靠性高

采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5.特設“碎片”處理功能

解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

四、主要技術指標:

1、曝光頭:采用蠅眼曝光頭

2、曝光類型：單面

3、曝光面積：φ100mm

4、光束不平行度：≤6°

5、曝光不均勻性：≤±3%

6、掩模版尺寸：2.5″×2.5″、4″×4″、 5″×5″

7、基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″

8、基片厚度：≤5 mm

9、曝光強度：≥5mw/cm2

10、曝光分辨率：≤1.0μm

11、曝光模式：套刻曝光

12、對準精度：1μm

13、掃描范圍：X：±40mm   Y：±35mm

14、對準范圍：承片臺相對于版運動為：

①x、y±5mm運動，放大比為400:1；

②Q轉動為±5°；③Z軸運動≤4mm；

15、密著曝光方式：密著曝光可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)；連續(xù)可調（物鏡0.7～4.5倍連續(xù)可調）；

計算機圖像處理系統(tǒng)；

17、曝光燈功率：直流350W

18、曝光定時：0～999.9秒可調

19、電源：AC220V 50Hz 1kW

20、空氣：P≥0.1MPa，耗氣量0.2m3小時；

21、真空度：-0.07MPa～-0.09MPa

22、外形尺寸：918×680×1450(L×W×H)mm

23、重量：～160kg

更多關于成都光刻機的信息可以直接撥打網(wǎng)站上的咨詢電話和我們取得聯(lián)系。